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參數(shù)描述
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操作
產(chǎn)品說明:柵極驅(qū)動(dòng)器 PowIRstage DC DRVR 40A 0.25 (VCC -2.5)
封裝:PQFN-32產(chǎn)品說明:FLASH - NOR 存儲(chǔ)器 IC 512Mb SPI - 四 I/O 80 MHz 16-SOIC
封裝:SOIC-16產(chǎn)品說明:ARM? Cortex?-R5F Traveo? T1G 微控制器 IC 32-位 240MHz 4.171875MB(4.171875M x 8) 閃存 216-TEQFP(24x24)
封裝:TEQFP-216產(chǎn)品說明:ARM? Cortex?-R5F Traveo? T1G 微控制器 IC 32-位 240MHz 3.0625MB(3.0625M x 8) 閃存 176-TEQFP(24x24)
封裝:TEQFP-176產(chǎn)品說明:FLASH - NOR 存儲(chǔ)器 IC 256Mb 并聯(lián) 100 ns 64-FBGA(9x9)
封裝:FBGA-64產(chǎn)品說明:絕緣柵雙極晶體管(IGBT) 600V HI SPEED SW IGBT
封裝:TO-247-3產(chǎn)品說明:30 A 單電壓同步降壓穩(wěn)壓器
封裝:PG-IQFN-36-2產(chǎn)品說明:35A 單輸入電壓、同步降壓穩(wěn)壓器,帶 PMBus 接口
封裝:QFN-26產(chǎn)品說明:MOSFET N-Ch 30V 100A TDSON-8
封裝:TDSON-8產(chǎn)品說明:40V、N-Ch、最大 1.9 mΩ、汽車 MOSFET、PQNF、OptiMOS?-5
封裝:TDSON-8產(chǎn)品說明:650 V IGBT,帶反并聯(lián)二極管,采用 TO-247 封裝
封裝:TO-247-3產(chǎn)品說明:600 V、15 A IGBT,帶反并聯(lián)二極管,采用 TO-220 全封裝
封裝:PG-TO220-3產(chǎn)品說明:通孔 N 通道 600 V 26A(Tc) 95W(Tc) PG-TO247-3
封裝:PG-TO247-3產(chǎn)品說明:IGBT 溝道 650 V 90 A 395 W 通孔 PG-TO247-3
封裝:PG-TO247-3產(chǎn)品說明:OptiMOS? 5 功率 MOSFET 擴(kuò)大了溫度范圍以提高堅(jiān)固性
封裝:TDSON-8產(chǎn)品說明:500 V 高壓側(cè)和低壓側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器集成電路,帶關(guān)斷功能
封裝:SOIC-16電話咨詢:86-755-83294757
企業(yè)QQ:1668527835/ 2850151598/?2850151584/ 2850151585
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