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產(chǎn)品說明:IGBT 溝槽型場截止 650 V 39 A 81 W 通孔 TO-3PFM
封裝:TO-3PFM產(chǎn)品說明:IGBT 溝槽型場截止 650 V 39 A 85 W 通孔 TO-3PFM
封裝:TO-3PFM產(chǎn)品說明:IGBT 溝槽型場截止 650 V 64 A 178 W 通孔 TO-247N
封裝:TO-247-3產(chǎn)品說明:IGBT 溝槽型場截止 650V 59A 228W 表面貼裝型 TO-263L
封裝:TO-263-3產(chǎn)品說明:IGBT 溝槽型場截止 650V 59A 228W 表面貼裝型 TO-263L
封裝:TO-263-3產(chǎn)品說明:IGBT 溝槽型場截止 650V 50A 206W 表面貼裝型 TO-263L
封裝:TO-263-3產(chǎn)品說明:IGBT 晶體管,8 秒短路容差,650V 15A
封裝:TO-263-3產(chǎn)品說明:650V 40A 現(xiàn)場截止溝槽式 IGBT 晶體管
封裝:TO-263-3產(chǎn)品說明:650V 40A 現(xiàn)場截止溝槽式 IGBT 晶體管
封裝:TO-263-3產(chǎn)品說明:650V 30A 現(xiàn)場截止溝槽式 IGBT 晶體管
封裝:TO-263-3產(chǎn)品說明:650V 25A 現(xiàn)場截止溝槽式 IGBT 晶體管
封裝:TO-263-3產(chǎn)品說明:650V 20A 現(xiàn)場截止溝槽式 IGBT 晶體管
封裝:TO-263-3產(chǎn)品說明:650V 20A 現(xiàn)場截止溝槽式 IGBT 晶體管
封裝:TO-3PFM產(chǎn)品說明:內置 SiC-SBD 的 650V 50A 混合型 IGBT 晶體管
封裝:TO-247-3產(chǎn)品說明:650V 75A 現(xiàn)場截止溝槽式 IGBT 晶體管
封裝:TO-247-3產(chǎn)品說明:IGBT 溝槽型場截止 1200 V 30 A 267 W 通孔 TO-247N
封裝:TO-247-3電話咨詢:86-755-83294757
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