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產(chǎn)品說明:汽車類 750 V、高度魯棒的SiC MOSFET
封裝:HDSOP-22產(chǎn)品說明:CoolSiC? MOSFET 400 V G2,采用 D2PAK-7 (TO-263-7) 封裝,25 mΩ
封裝:TO-263-7產(chǎn)品說明:汽車類 750 V、高度魯棒的SiC MOSFET
封裝:HDSOP-22產(chǎn)品說明:CoolSiC? MOSFET 400 V G2,采用 D2PAK-7 (TO-263-7) 封裝,36 mΩ
封裝:TO-263-7產(chǎn)品說明:CoolSiC? MOSFET 400 V G2,采用 TOLL (PG-HSOF-8) 封裝,36 mΩ
封裝:PG-HSOF-8產(chǎn)品說明:采用TO-247-3 HCC封裝的1700 V, 1000 mΩ CoolSiC MOSFET
封裝:TO-247-3產(chǎn)品說明:采用TO-247-3 HCC封裝的1700 V, 450 mΩ CoolSiC MOSFET
封裝:TO-247-3產(chǎn)品說明:采用TO-247-3 HCC封裝的1700 V、650 mΩ 分立式CoolSiC MOSFET
封裝:TO-247-3產(chǎn)品說明:MOSFET - 陣列 1200V(1.2kV) 85A(Tj) 底座安裝 AG-EASY2B
封裝:AG-EASY2B產(chǎn)品說明:通孔 N 通道 560 V 16A(Tc) 34W(Tc) PG-TO220-3-31
封裝:TO-220FP-3產(chǎn)品說明:MOSFET N-通道 120V 120A D2PAK-2 OptiMOS 3
封裝:PG-TO263-3產(chǎn)品說明:SRAM - 異步 存儲器 IC 8Mb 并聯(lián) 55 ns 48-VFBGA(6x8)
封裝:48-VFBGA產(chǎn)品說明:SRAM - 異步 存儲器 IC 8Mb 并聯(lián) 55 ns 48-VFBGA(6x8)
封裝:48-VFBGA產(chǎn)品說明:SRAM - 異步 存儲器 IC 8Mb 并聯(lián) 45 ns 48-VFBGA(6x8)
封裝:48-VFBGA產(chǎn)品說明:SRAM - 異步 存儲器 IC 8Mb 并聯(lián) 45 ns 44-TSOP
封裝:44-TSOP電話咨詢:86-755-83294757
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