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產(chǎn)品說明:IGBT 模塊 三相反相器,帶制動器 1200 V 50 A 20 mW 通孔 26-DIP
封裝:26-DIP產(chǎn)品說明:IGBT 模塊 三相反相器,帶制動器 1200 V 25 A 20 mW 通孔 26-DIP
封裝:26-DIP產(chǎn)品說明:IGBT 模塊 三相反相器,帶制動器 1200 V 35 A 20 mW 通孔 26-DIP
封裝:26-DIP產(chǎn)品說明:功率MOSFET,單N溝道,40 V,0.67 mOhms,420 A
封裝:DFNW-8產(chǎn)品說明:碳化硅(SiC)MOSFET - EliteSiC, 40 mohm, 1200 V, M1, TO-247-3L
封裝:TO-247-3產(chǎn)品說明:MOSFET - 陣列 40V 15A(Ta),60A(Tc) 1.7W(Ta),26W(Tc) 表面貼裝型 12-WQFN(3.3x3.3)
封裝:WQFN-12產(chǎn)品說明:碳化硅(SiC)MOSFET - EliteSiC, 40 mohm, 1200 V, M1, D2PAK-7L
封裝:D2PAK-7產(chǎn)品說明:碳化硅(SiC)MOSFET - EliteSiC, 22 mohm, 1200 V, M3S, TO247-4L
封裝:TO-247-4產(chǎn)品說明:MOSFET - 功率,單,N-通道,TOLL,80 V,1.05 mΩ,351 A
封裝:8-HPSOF產(chǎn)品說明:MOSFET - 功率,單,N-通道,TOLL,60 V,0.9 mΩ,422 A
封裝:8-HPSOF產(chǎn)品說明:碳化硅(SiC)MOSFET - EliteSiC, 80 mohm, 1200 V, M1, TO-247-3L
封裝:TO-247-3產(chǎn)品說明:碳化硅(SiC)MOSFET - EliteSiC, 20 mohm, 900 V, M2, TO-247-4L
封裝:TO-247-4產(chǎn)品說明:MOSFET - 陣列 40V 11A(Ta),36A(Tc) 3W(Ta),24W(Tc) 表面貼裝型 8-DFN(5x6)
封裝:8-DFN產(chǎn)品說明:表面貼裝型 N 通道 40 V 65A(Ta),420A(Tc) 4.9W(Ta),205W(Tc) 8-DFNW(8.3x8.4)
封裝:8-DFNW產(chǎn)品說明:IGBT 3 相 650 V 50 A 27-PowerDIP 模塊(0.300",7.62mm)
封裝:27-PowerDIP產(chǎn)品說明:通孔 N 通道 800 V 56A(Tc) 500W(Tc) TO-247-3
封裝:TO247-3電話咨詢:86-755-83294757
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