商品名稱：NCV6324CMTAAWTBG
數(shù)據(jù)手冊(cè)：
NCV6324CMTAAWTBG.pdf
品牌：ON
年份：23+
封裝：8-WFDFN
貨期：全新原裝
庫(kù)存數(shù)量：3000 件
NCV6324CMTAAWTBG 是一個(gè)同步降壓轉(zhuǎn)換器系列，經(jīng)過優(yōu)化，可為由單節(jié)鋰離子電池或三節(jié)堿性/鎳鎘/鎳氫電池供電的便攜式應(yīng)用的不同子系統(tǒng)供電。這些器件可通過外部可調(diào)電壓提供高達(dá) 2 A 的電流。
特性
2.5 V 至 5.5 V 輸入電壓范圍
外部可調(diào)電壓
高達(dá) 2 A 輸出電流
3 MHz 開關(guān)頻率
同步整流
自動(dòng)省電或外部模式選擇
使能輸入
電源良好輸出選項(xiàng)
軟啟動(dòng)
過電流保護(hù)
禁用時(shí)主動(dòng)放電
熱關(guān)斷保護(hù)
應(yīng)用
手機(jī)、智能手機(jī)和 PDA
便攜式媒體播放器
靜態(tài)數(shù)碼相機(jī)
無線和 DSL 調(diào)制解調(diào)器
USB 供電設(shè)備
負(fù)載點(diǎn)
游戲和娛樂系統(tǒng)
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
Maxim
TDFN-12
2000
降壓 開關(guān)穩(wěn)壓器 IC 正 可調(diào)（固定） 1V（3.3V） 1 輸出 600mA 12-WFDFN 裸露焊盤
Maxim
TDFN-12
1000
降壓 開關(guān)穩(wěn)壓器 IC 正 可調(diào)（固定） 3V（3.6V） 1 輸出 600mA 12-WFDFN 裸露焊盤
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安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor，美國(guó)納斯達(dá)克上市代號(hào)：ON)是應(yīng)用于高能效電子產(chǎn)品的首要高性能硅方案供應(yīng)商。公司的產(chǎn)品系列包括電源和信號(hào)管理、邏輯、分立及定制器件，幫助客戶解決他們?cè)谄?、通信、?jì)算機(jī)、消費(fèi)電子、工業(yè)、LED照明、醫(yī)療、軍事/航空及電源應(yīng)用的獨(dú)…
UJ3C120040K3S
UJ3C120040K3S SiC FET 器件基于獨(dú)特的 “級(jí)聯(lián) ”電路配置，其中一個(gè)常開 SiC JFET 與一個(gè) Si MOSFET 共同封裝，從而產(chǎn)生一個(gè)常閉 SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng)特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超級(jí)結(jié)器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 TO24…
UJ3C120070K3S
UJ3C120070K3S SiC FET 器件基于獨(dú)特的 “級(jí)聯(lián) ”電路配置，其中一個(gè)常開 SiC JFET 與一個(gè) Si MOSFET 共同封裝，從而產(chǎn)生一個(gè)常閉 SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng)特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超級(jí)結(jié)器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 TO24…
UF3C120040K3S
UF3C120040K3S SiC FET 器件基于獨(dú)特的 “級(jí)聯(lián) ”電路配置，其中一個(gè)常開 SiC JFET 與一個(gè) Si MOSFET 共同封裝，從而產(chǎn)生一個(gè)常閉 SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng)特性可真正 “替代 ”硅 IGBT、硅 FET、硅 C MOSFET 或硅超級(jí)結(jié)器件。該器件采用 T0247-3 封裝，具有超…
UF3C120040K4S
UF3C120040K4S 是高性能 F3 SiC 快速 JFET，采用級(jí)聯(lián)優(yōu)化 MOSFET，是目前市場(chǎng)上唯一的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng) SiC 器件。該器件采用 4 端子 T0247- 封裝，具有極快的開關(guān)速度和類似額定值器件中最佳的反向恢復(fù)特性。這些器件非常適合電感負(fù)載開關(guān)和任何需要標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng)的應(yīng)用。UF3…
UJ3C065030B3
UJ3C065030B3 SiC FET 器件基于獨(dú)特的 “級(jí)聯(lián) ”電路配置，其中一個(gè)常開 SiC JFET 與一個(gè) Si MOSFET 共同封裝，從而產(chǎn)生一個(gè)常閉 SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng)特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超結(jié)器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 DPAK-3L…
NVH4L050N170M1
NVH4L050N170M1：1700V、45A、53mohm、碳化硅 (SiC) N通道 MOSFET 晶體管，TO-247-4型號(hào)：NVH4L050N170M1封裝：TO-247-4類型：碳化硅（SiC）MOSFET 晶體管NVH4L050N170M1 規(guī)格參數(shù)：FET 類型：N 通道技術(shù)：SiC（碳化硅結(jié)晶體管）漏源電壓（Vdss）：1700 V25C 時(shí)電流 - 連…電話咨詢：86-755-83294757
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