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IPD028N06NF2S 是采用 DPAK 封裝的StrongIRFET?2 60V 單N通道功率MOSFET，具有2.85 mOhm的低RDS（ON），適合從低開關頻率到高開關頻率的廣泛應用。

規(guī)格

FET 類型：N 通道

技術：MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）：60 V

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：24A（Ta），139A（Tc）

驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：6V，10V

不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：2.85 毫歐 @ 70A，10V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：3.3V @ 80μA

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）：102 nC @ 10 V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：4600 pF @ 30 V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：3W（Ta），150W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

供應商器件封裝：PG-TO252-3

封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63

基本產品編號：IPD028

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