商品名稱:IPD029N04NF2S
數(shù)據(jù)手冊(cè):IPD029N04NF2S.pdf
品牌:INFINEON
年份:23+
封裝:TO252-3
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:1000 件
IPD029N04NF2S(40V)StrongIRFET?2 功率MOSFET具有2.9 mOhm的低RDS(ON),可滿足從低開關(guān)頻率到高開關(guān)頻率的廣泛應(yīng)用。
規(guī)格
FET 類型:N 通道
技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss):40 V
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id):24A(Ta),131A(Tc)
驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):6V,10V
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻(最大值):2.9 毫歐 @ 70A,10V
不同 Id 時(shí) Vgs(th)(最大值):3.4V @ 53μA
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)(最大值):68 nC @ 10 V
Vgs(最大值):±20V
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值):3200 pF @ 20 V
FET 功能:-
功率耗散(最大值):3W(Ta),107W(Tc)
工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ)
安裝類型:表面貼裝型
供應(yīng)商器件封裝:PG-TO252-3
封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63
基本產(chǎn)品編號(hào):IPD029
典型應(yīng)用包括電源管理 (SMPS) 、適配器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、電池供電應(yīng)用、電池管理和不間斷電源 (UPS)。
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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答:可以為個(gè)人用戶開具普通發(fā)票,也可以為企業(yè)用戶開具增值稅專用發(fā)票。
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SAK-TC1791F-512F240EP?AB
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TLE42754G 是一款采用 5 引腳 TO 封裝的單片集成低壓差穩(wěn)壓器,專為汽車應(yīng)用設(shè)計(jì)。BTS3410G
BTS3410G 是英飛凌推出的智能低側(cè)功率開關(guān),采用 HITFET 技術(shù) 和 N溝道垂直功率MOSFET 設(shè)計(jì),適用于 12V DC 電源系統(tǒng)中的電阻性、感性和容性負(fù)載開關(guān)控制。BSP613P
BSP613P 是英飛凌 SIPMOS 系列的 P 溝道增強(qiáng)型小信號(hào) MOSFET,采用溝槽(Trench)工藝制造,專為 60 V 中壓、2.9 A 級(jí)別的負(fù)載開關(guān)、反向極性保護(hù)及高側(cè)驅(qū)動(dòng)而設(shè)計(jì)。S29GL01GT10FHI010
S29GL01GT10FHI010 是 一款 1Gb(128M 8 位)并行 NOR Flash 存儲(chǔ)器,采用 64-FBGA(1311mm) 封裝。電話咨詢:86-755-83294757
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