商品名稱:NTBG020N120SC1
數(shù)據(jù)手冊(cè):NTBG020N120SC1.PDF
品牌:ON
年份:23+
封裝:D2PAK-7
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:1100 件
NTBG020N120SC1 1200V EliteSiC(碳化硅)MOSFET采用全新技術(shù),與硅器件相比,具有更出色的開關(guān)性能和更高的可靠性。這些MOSFET具有低導(dǎo)通電阻,可確保低電容和低柵極電荷。1200V EliteSiC MOSFET可實(shí)現(xiàn)的系統(tǒng)優(yōu)勢(shì)包括提高效率、加快工作頻率、提高功率密度、降低EMI以及減小系統(tǒng)尺寸。此系列MOSFET具有阻斷電壓、高速開關(guān)、低電容等特點(diǎn),并可在-55°C至175°C的溫度范圍內(nèi)工作。
產(chǎn)品屬性
制造商: onsemi
產(chǎn)品種類: MOSFET
技術(shù): SiC
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: D2PAK-7
晶體管極性: N-Channel
通道數(shù)量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 1.2 kV
Id-連續(xù)漏極電流: 98 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 28 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 15 V, + 25 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 4.3 V
Qg-柵極電荷: 220 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 175 C
Pd-功率耗散: 468 W
通道模式: Enhancement
配置: Single
下降時(shí)間: 9 ns
正向跨導(dǎo) - 最小值: 34 S
產(chǎn)品類型: MOSFET
上升時(shí)間: 20 ns
晶體管類型: 1 N-Channel
典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 42 ns
典型接通延遲時(shí)間: 22 ns
單位重量: 4.675 g
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor,美國(guó)納斯達(dá)克上市代號(hào):ON)是應(yīng)用于高能效電子產(chǎn)品的首要高性能硅方案供應(yīng)商。公司的產(chǎn)品系列包括電源和信號(hào)管理、邏輯、分立及定制器件,幫助客戶解決他們?cè)谄?、通信、?jì)算機(jī)、消費(fèi)電子、工業(yè)、LED照明、醫(yī)療、軍事/航空及電源應(yīng)用的獨(dú)…
NB6N11SMNG
NB6N11SMNG是差分 1:2 時(shí)鐘或數(shù)據(jù)接收器,可接受 AnyLevelTM 輸入信號(hào): LVPECL、CML、LVCMOS、LVTTL 或 LVDS。AFGH4L25T120RWD
AFGH4L25T120RWD是一款通過AEC Q101 認(rèn)證的絕緣柵雙極型晶體管 (IGBT) ,具有堅(jiān)固且具有成本效益的場(chǎng)停止 VII 溝槽結(jié)構(gòu)。AFGH4L25T120RWD IGBT在苛刻的開關(guān)應(yīng)用中提供卓越的性能,具有低導(dǎo)通狀態(tài)電壓和最小的開關(guān)損耗,優(yōu)化了在汽車應(yīng)用中硬開關(guān)和軟開關(guān)拓?fù)涞男阅?。技術(shù)…AFGH4L25T120RW
AFGH4L25T120RW是一款單N溝道1200V 25A絕緣柵極雙極晶體管 (IGBT),它采用堅(jiān)固、高性價(jià)比的場(chǎng)終止型VII溝槽結(jié)構(gòu)。AFGH4L25T120RW在要求苛刻的開關(guān)應(yīng)用中提供出色的性能。低導(dǎo)通電壓和最小開關(guān)損耗在汽車應(yīng)用中提供最佳的硬開關(guān)和軟開關(guān)拓?fù)湫阅?。技術(shù)參數(shù)AFGH4L25T120RW的…FGAF40N60SMD
FGAF40N60SMD是一款600 V 絕緣柵雙極晶體管(IGBT) ,主要應(yīng)用于電力電子設(shè)備中。該IGBT具有以下主要規(guī)格:配置:Single集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V集電極—射極飽和電壓:1.9 V柵極/發(fā)射極最大電壓:- 20 V, 20 V在25 C的連續(xù)集電極電流:80 APd-功率耗散:115 W…FGY4L75T120SWD
FGY4L75T120SWD是一款采用新穎的場(chǎng)終止型第7代IGBT技術(shù)和采用TO-247 4?lead封裝的第7代二極管。該IGBT具有最佳的性能,具有低開關(guān)和導(dǎo)通損耗,可在太陽(yáng)能逆變器、UPS和ESS等各種應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)高效率運(yùn)行。技術(shù)規(guī)格FGY4L75T120SWD的主要規(guī)格包括:配置:Single集電極—發(fā)射極…LB11600JV-TLM-E
LB11600JV-TLM-E 是安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor) 推出的一款三相無刷直流(BLDC)電機(jī)預(yù)驅(qū)動(dòng)器,專為汽車電子、工業(yè)控制及消費(fèi)類電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用設(shè)計(jì)。電話咨詢:86-755-83294757
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