商品名稱:IPL65R200CFD7
數(shù)據(jù)手冊(cè):IPL65R200CFD7.pdf
品牌:INFINEON
年份:23+
封裝:VSON-4
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:1000 件
英飛凌 650 V CoolMOS? CFD7 超結(jié) MOSFET IPL65R200CFD7 采用 ThinPAK 8x8 封裝,尤為適合工業(yè)應(yīng)用中的諧振拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),如服務(wù)器、電信、太陽(yáng)能及電動(dòng)汽車充電站,其效率相較于競(jìng)品有了大幅度的提高。
產(chǎn)品屬性
制造商: Infineon
產(chǎn)品種類: MOSFET
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: VSON-4
晶體管極性: N-Channel
通道數(shù)量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 650 V
Id-連續(xù)漏極電流: 14 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 200 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 4.5 V
Qg-柵極電荷: 23 nC
最小工作溫度: - 40 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 81 W
通道模式: Enhancement
配置: Single
下降時(shí)間: 5 ns
濕度敏感性: Yes
上升時(shí)間: 6.5 ns
晶體管類型: 1 N-Channel
典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 14 ns
典型接通延遲時(shí)間: 70 ns
潛在應(yīng)用
電動(dòng)汽車快速充電
服務(wù)器電源
太陽(yáng)能系統(tǒng)解決方案
電信基礎(chǔ)設(shè)施
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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答:可以為個(gè)人用戶開具普通發(fā)票,也可以為企業(yè)用戶開具增值稅專用發(fā)票。
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S29GL01GT10FHI010 是 一款 1Gb(128M 8 位)并行 NOR Flash 存儲(chǔ)器,采用 64-FBGA(1311mm) 封裝。電話咨詢:86-755-83294757
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