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IPTG210N25NM3FD 3 N溝道MOSFET采用SuperSO8無引線封裝，具有低導(dǎo)通電阻。在工業(yè)、消費(fèi)和電信應(yīng)用中將功率密度提高到50%。采用40V、60V和80V N溝道MOSFET，采用SuperSO8和熱縮SuperSO8 (S3O8) 封裝。與標(biāo)準(zhǔn)晶體管外形 (TO) 封裝相比，將功率密度提高了50%。

產(chǎn)品屬性

FET 類型：N 通道

技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）：250 V

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：7.7A（Ta），77A（Tc）

驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V

不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻（最大值）：21 毫歐 @ 69A，10V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：4V @ 267μA

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）：81 nC @ 10 V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：7000 pF @ 125 V

功率耗散（最大值）：3.8W（Ta），375W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

供應(yīng)商器件封裝：PG-HSOG-8-1

封裝/外殼：8-PowerSMD，鷗翼

應(yīng)用

● 開關(guān)模式電源 (SMPS)

● 電機(jī)控制和驅(qū)動器

● 逆變器

● 計(jì)算

• 1.平臺上看到的庫存、價格準(zhǔn)確嗎？

  答：所有上架的在線商品均可在線即可下單，但也考慮到現(xiàn)貨庫存流動性比較大，目前還無法做到100%的精準(zhǔn)。如有異常，您可以在線聯(lián)系我公司并給出對應(yīng)的 解決方案。

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  答：我們的自營商品均采自合作的國內(nèi)外原廠或授權(quán)代理商，來源均可追溯，確保原裝正品。

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  答：可以通過網(wǎng)站上詢價，也可以通過電話以及郵箱咨詢。

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  答：可以為個人用戶開具普通發(fā)票，也可以為企業(yè)用戶開具增值稅專用發(fā)票。