商品名稱:IPB60R180P7
數(shù)據(jù)手冊:IPB60R180P7.pdf
品牌:INFINEON
年份:23+
封裝:PG-TO263-3
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:1000 件
IPB60R180P7的性價比屬同類最佳,簡單易用,能夠應對各種應用的挑戰(zhàn)。700V和800V CoolMOS P7功率MOSFET開發(fā)用于反激式低功耗SMPS應用,包括適配器和充電器、照明、音頻SMPS、AUX和工業(yè)電源。600V CoolMOS P7功率MOSFET不僅設計用于小功率應用,而且還用于大功率SMPS應用,如太陽能逆變器、服務器、電信和電動汽車充電站。P7 MOSFET經(jīng)過徹底優(yōu)化,用于硬開關和軟開關拓撲結構。
產(chǎn)品屬性
FET 類型:N 通道
技術:MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss):600 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id):18A(Tc)
驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
不同 Id、Vgs 時導通電阻(最大值):180 毫歐 @ 5.6A,10V
不同 Id 時 Vgs(th)(最大值):4V @ 280μA
不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)(最大值):25 nC @ 10 V
Vgs(最大值):±20V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值):1081 pF @ 400 V
功率耗散(最大值):72W(Tc)
工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型:表面貼裝型
供應商器件封裝:PG-TO263-3
封裝/外殼:TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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