商品名稱:IPN80R3K3P7
數(shù)據(jù)手冊:IPN80R3K3P7.pdf
品牌:INFINEON
年份:23+
封裝:TO-261-4
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:2000 件
IPN80R3K3P7 樹立了 800V 超級結技術的新標桿,將同類最佳的性能與最先進的易用性相結合,是超級結技術創(chuàng)新的結晶。
特點
同類最佳的 FOM Rps(on) * Eoss;降低了 Qg、Ciss 和 Coss
同類最佳 SOT-223 Ros(on)
同類最佳 3V V(Gs)h,最小 +0.5V V(s)th 變化
集成齊納二極管 ESD 保護
完全符合 JEDEC 工業(yè)應用認證
全面優(yōu)化的產品組合
優(yōu)勢
同類最佳的性能
實現(xiàn)更高的功率密度設計、節(jié)省 BOM 和降低裝配成本
易于驅動和并行
減少 ESD 相關故障,提高生產良率
減少生產問題和現(xiàn)場退貨
易于選擇合適的部件對設計進行微調
潛在應用
推薦用于 LED 照明、低功耗充電器和適配器、智能電表、AUX 電源和工業(yè)電源的反激式拓撲結構。
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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SAK-TC1791F-512F240EP?AB
SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一個高性能的微控制器,具有TriCore CPU、程序和數(shù)據(jù)存儲器、總線、總線仲裁、中斷控制器、外圍控制處理器和DMA控制器以及若干片上外設。TC1791旨在滿足最苛刻的嵌入式控制系統(tǒng)應用的需要,在這些應用中,價格/性能、實時響應性、計算能…IMBG65R026M2H
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IMBG65R010M2H:650V,碳化硅 CoolSiC? MOSFET晶體管,PG-TO263-7IMBG65R010M2H——CoolSiC ? MOSFET 650 V、10 mΩ G2 采用 D2PAK-7(TO-263-7)封裝,以第一代技術的優(yōu)勢為基礎,能夠加速系統(tǒng)設計,實現(xiàn)成本更優(yōu)化、更高效、更緊湊、更可靠的解決方案。第二代在硬開關…IMSQ120R053M2HH
IMSQ120R053M2HH CoolSiC? MOSFET 離散型 1200 V,53 mΩ G2,采用頂部散熱 Q-DPAK 雙半橋封裝,專為工業(yè)應用的廣泛使用而設計,包括工業(yè)驅動器、電動汽車充電解決方案、太陽能系統(tǒng)和不間斷電源。Q-DPAK 通過實現(xiàn)更輕松的組裝和卓越的熱性能,為客戶提供更低的系統(tǒng)成本。…IPW60R099CM8
IPW60R099CM8 是一款 600V CoolMOS? 8 N 溝道功率 MOSFET 晶體管。600V CoolMOS? 8 SJ MOSFET 系列是 600V CoolMOS? 7 MOSFET 家族(包括 P7、S7、CFD7、C7(G7)和 PFD7)的繼任者。與 CFD7 相比,其柵極電荷(Qg)減少了 20%,關斷損耗(Eoss)進一步降低了 12%,反IPZA60R099CM8
IPZA60R099CM8 是一款 600V CoolMOS? 8 N 溝道功率 MOSFET 晶體管。600V CoolMOS? 8 SJ MOSFET 系列是 600V CoolMOS? 7 MOSFET 家族(包括 P7、S7、CFD7、C7(G7)和 PFD7)的繼任者。與 CFD7 相比,其柵極電荷(Qg)減少了 20%,關斷損耗(Eoss)進一步降低了 12%,反…電話咨詢:86-755-83294757
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