商品名稱:IMC302A-F048
數(shù)據(jù)手冊(cè):IMC302A-F048.pdf
品牌:INFINEON
年份:23+
封裝:48-LQFP
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:2000 件
IMC302A-F048 是一款高度集成的集成電路,用于控制變速電機(jī)控制系統(tǒng),并配有一個(gè)用戶可編程微控制器。
特點(diǎn)
具有正弦換向和集成保護(hù)功能的空間矢量 PWM
通過單路或并聯(lián)配置進(jìn)行電流檢測
基于無傳感器和/或霍爾傳感器(模擬/數(shù)字)的操作
集成和/或外部溫度傳感器
可選升壓或圖騰柱 PFC 控制
集成腳本語言,用于額外的 MCE 和 I/O 控制。
用于用戶應(yīng)用控制的 32 位 Arm?Cortex?-M0 內(nèi)核
48/96 MHz 內(nèi)核/外設(shè)時(shí)鐘
嵌套向量中斷控制器 (NVIC)
用于事件互連的事件請(qǐng)求單元 (ERU)
3.3 V 至 5.5 V 電源,帶電源復(fù)位和掉電檢測器
片上時(shí)鐘監(jiān)控器
內(nèi)部慢速和快速振蕩器
支持外部晶體振蕩器(32 kHz 和 4 至 20 MHz)
窗口看門狗
實(shí)時(shí)時(shí)鐘 (RTC) 模式
偽隨機(jī)數(shù)發(fā)生器
4 個(gè)斷點(diǎn)、2 個(gè)觀察點(diǎn)
ARM 串行線調(diào)試 (SWD)、單引腳調(diào)試 (SPD) 接口
MCE 獨(dú)立運(yùn)行
三態(tài)輸入模式
推/拉或漏極開路輸出模式
可配置焊盤磁滯
應(yīng)用
空調(diào)
冰箱
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
INFINEON
48-VFQFN
2000
Arm? Cortex?-M3 微控制器,帶適用于汽車應(yīng)用的 LIN 和 BLDC MOSFET 驅(qū)動(dòng)器
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英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國慕尼黑正式成立,是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司之一。其前身是西門子集團(tuán)的半導(dǎo)體部門,于1999年獨(dú)立,2000年上市。其中文名稱為億恒科技,2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國Neubiberg的英飛凌科技股份公司,為現(xiàn)代社會(huì)的三大科技挑…
SAK-TC1791F-512F240EP?AB
SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一個(gè)高性能的微控制器,具有TriCore CPU、程序和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器、總線、總線仲裁、中斷控制器、外圍控制處理器和DMA控制器以及若干片上外設(shè)。TC1791旨在滿足最苛刻的嵌入式控制系統(tǒng)應(yīng)用的需要,在這些應(yīng)用中,價(jià)格/性能、實(shí)時(shí)響應(yīng)性、計(jì)算能…IMBG65R026M2H
IMBG65R026M2H 是一款650V,碳化硅 CoolSiC? MOSFET晶體管,采用 D2PAK-7(TO-263-7)封裝。產(chǎn)品詳情:型號(hào):IMBG65R026M2H封裝:PG-TO263-7類型:碳化硅 CoolSiC? MOSFET晶體管IMBG65R026M2H 產(chǎn)品屬性:系列:CoolSiC?FET 類型:N 通道技術(shù):SiCFET(碳化硅)漏源電壓…IMBG65R010M2H
IMBG65R010M2H:650V,碳化硅 CoolSiC? MOSFET晶體管,PG-TO263-7IMBG65R010M2H——CoolSiC ? MOSFET 650 V、10 mΩ G2 采用 D2PAK-7(TO-263-7)封裝,以第一代技術(shù)的優(yōu)勢為基礎(chǔ),能夠加速系統(tǒng)設(shè)計(jì),實(shí)現(xiàn)成本更優(yōu)化、更高效、更緊湊、更可靠的解決方案。第二代在硬開關(guān)…IMSQ120R053M2HH
IMSQ120R053M2HH CoolSiC? MOSFET 離散型 1200 V,53 mΩ G2,采用頂部散熱 Q-DPAK 雙半橋封裝,專為工業(yè)應(yīng)用的廣泛使用而設(shè)計(jì),包括工業(yè)驅(qū)動(dòng)器、電動(dòng)汽車充電解決方案、太陽能系統(tǒng)和不間斷電源。Q-DPAK 通過實(shí)現(xiàn)更輕松的組裝和卓越的熱性能,為客戶提供更低的系統(tǒng)成本。…IPW60R099CM8
IPW60R099CM8 是一款 600V CoolMOS? 8 N 溝道功率 MOSFET 晶體管。600V CoolMOS? 8 SJ MOSFET 系列是 600V CoolMOS? 7 MOSFET 家族(包括 P7、S7、CFD7、C7(G7)和 PFD7)的繼任者。與 CFD7 相比,其柵極電荷(Qg)減少了 20%,關(guān)斷損耗(Eoss)進(jìn)一步降低了 12%,反IPZA60R099CM8
IPZA60R099CM8 是一款 600V CoolMOS? 8 N 溝道功率 MOSFET 晶體管。600V CoolMOS? 8 SJ MOSFET 系列是 600V CoolMOS? 7 MOSFET 家族(包括 P7、S7、CFD7、C7(G7)和 PFD7)的繼任者。與 CFD7 相比,其柵極電荷(Qg)減少了 20%,關(guān)斷損耗(Eoss)進(jìn)一步降低了 12%,反…電話咨詢:86-755-83294757
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