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產(chǎn)品分類

AI 處理器

電阻器網(wǎng)絡(luò)

圖片僅供參考,請參閱產(chǎn)品規(guī)格
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商品型號:IPD60R180P7S

商品名稱:IPD60R180P7S

數(shù)據(jù)手冊:IPD60R180P7S.pdf

品牌:INFINEON

年份:23+

封裝:PG-TO252-3

貨期:全新原裝

庫存數(shù)量:1000

數(shù)量:
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技術(shù)參數(shù)

制造商
INFINEON
型號
IPD60R180P7S
封裝
PG-TO252-3
描述
表面貼裝型 N 通道 600 V 18A(Tc) 72W(Tc) PG-TO252-3

產(chǎn)品描述

IPD60R180P7S的性價比屬同類最佳,簡單易用,能夠應(yīng)對各種應(yīng)用的挑戰(zhàn)。700V和800V CoolMOS P7功率MOSFET開發(fā)用于反激式低功耗SMPS應(yīng)用,包括適配器和充電器、照明、音頻SMPS、AUX和工業(yè)電源。600V CoolMOS P7功率MOSFET不僅設(shè)計用于小功率應(yīng)用,而且還用于大功率SMPS應(yīng)用,如太陽能逆變器、服務(wù)器、電信和電動汽車充電站。P7 MOSFET經(jīng)過徹底優(yōu)化,用于硬開關(guān)和軟開關(guān)拓撲結(jié)構(gòu)。


產(chǎn)品屬性

FET 類型:N 通道

技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)

漏源電壓(Vdss):600 V

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id):18A(Tc)

驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V

不同 Id、Vgs 時導通電阻(最大值):180 毫歐 @ 5.6A,10V

不同 Id 時 Vgs(th)(最大值):4V @ 280μA

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)(最大值):25 nC @ 10 V

Vgs(最大值):±20V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值):1081 pF @ 400 V

功率耗散(最大值):72W(Tc)

工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ)

安裝類型:表面貼裝型

供應(yīng)商器件封裝:PG-TO252-3

封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63

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常見問題

  • 1.平臺上看到的庫存、價格準確嗎?

    答:所有上架的在線商品均可在線即可下單,但也考慮到現(xiàn)貨庫存流動性比較大,目前還無法做到100%的精準。如有異常,您可以在線聯(lián)系我公司并給出對應(yīng)的 解決方案。

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    答:可以通過網(wǎng)站上詢價,也可以通過電話以及郵箱咨詢。

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INFINEON

INFINEON

英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國慕尼黑正式成立,是全球領(lǐng)先的半導體公司之一。其前身是西門子集團的半導體部門,于1999年獨立,2000年上市。其中文名稱為億恒科技,2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國Neubiberg的英飛凌科技股份公司,為現(xiàn)代社會的三大科技挑…

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