商品名稱:IPS70R600P7S
數(shù)據手冊:IPS70R600P7S.pdf
品牌:INFINEON
年份:23+
封裝:PG-TO251-3
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:1000 件
IPS70R600P7S的性價比屬同類最佳,簡單易用,能夠應對各種應用的挑戰(zhàn)。700V和800V CoolMOS P7功率MOSFET開發(fā)用于反激式低功耗SMPS應用,包括適配器和充電器、照明、音頻SMPS、AUX和工業(yè)電源。600V CoolMOS P7功率MOSFET不僅設計用于小功率應用,而且還用于大功率SMPS應用,如太陽能逆變器、服務器、電信和電動汽車充電站。P7 MOSFET經過徹底優(yōu)化,用于硬開關和軟開關拓撲結構。
產品屬性
FET 類型:N 通道
技術:MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss):700 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id):8.5A(Tc)
驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
不同 Id、Vgs 時導通電阻(最大值):600 毫歐 @ 1.8A,10V
不同 Id 時 Vgs(th)(最大值):3.5V @ 90μA
不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)(最大值):10.5 nC @ 10 V
Vgs(最大值):±16V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值):364 pF @ 400 V
功率耗散(最大值):43W(Tc)
工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型:通孔
供應商器件封裝:PG-TO251-3
封裝/外殼:TO-251-3 短引線,IPak,TO-251AA
應用
● 用于飛返桌面,例如充電器、適配器、照明等
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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S25FL128SDSMFBG13 是一款 128Mbit NOR 閃存。該設備通過 SPI 接口連接至主機系統(tǒng)。支持傳統(tǒng)的 SPI 單比特串行輸入/輸出(SingleI/O 或 SIO),以及可選的雙比特(Dual I/O 或 DIO)和四比特(Quad I/O 或 QIO)串行命令。S25FL128SDSMFBG13 規(guī)格內存類型:非易失性內存格…IPB133N12NM6
【IPB133N12NM6】120V,OptiMOS ? 6 功率 MOSFET 晶體管,正常電平,采用 DPAK 3 引腳封裝。說明:IPB133N12NM6 是 DPAK 3 針封裝的正常級別 120 V MOSFET,導通電阻為 13.3 mOhm。IPB133N12NM6 是英飛凌 OptiMOS ? 6 功率 MOSFET 系列的一部分。IPB133N12NM6 規(guī)格參數(shù)…電話咨詢:86-755-83294757
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