商品名稱：NGTB25N120FL2WG
數(shù)據(jù)手冊：
NGTB25N120FL2WG.pdf
品牌：ON
年份：23+
封裝：TO-247-3
貨期：全新原裝
庫存數(shù)量：2000 件
NGTB25N120FL2WG IGBT 采用堅固耐用、經(jīng)濟高效的現(xiàn)場停止 II 溝道結構，在要求苛刻的開關應用中性能卓越，具有低導通電壓和最小開關損耗的特點。IGBT 非常適合 UPS 和太陽能應用。該器件內(nèi)置了一個低正向電壓的軟快速共封裝自由輪轉(zhuǎn)二極管。
特點
采用場截止技術的極高效溝道
TJmax = 175°C
軟快速反向恢復二極管
針對高速開關進行了優(yōu)化
10 秒短路能力
這些器件均為無鉛器件
應用
太陽能逆變器
不間斷電源逆變器 (UPS)
焊接
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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UJ3C120040K3S
UJ3C120040K3S SiC FET 器件基于獨特的 “級聯(lián) ”電路配置，其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝，從而產(chǎn)生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標準柵極驅(qū)動特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超級結器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 TO24…
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UJ3C120070K3S SiC FET 器件基于獨特的 “級聯(lián) ”電路配置，其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝，從而產(chǎn)生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標準柵極驅(qū)動特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超級結器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 TO24…
UF3C120040K3S
UF3C120040K3S SiC FET 器件基于獨特的 “級聯(lián) ”電路配置，其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝，從而產(chǎn)生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標準柵極驅(qū)動特性可真正 “替代 ”硅 IGBT、硅 FET、硅 C MOSFET 或硅超級結器件。該器件采用 T0247-3 封裝，具有超…
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UJ3C065030B3 SiC FET 器件基于獨特的 “級聯(lián) ”電路配置，其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝，從而產(chǎn)生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標準柵極驅(qū)動特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超結器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 DPAK-3L…電話咨詢：86-755-83294757
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