商品名稱:IAUT260N10S5N019
數(shù)據(jù)手冊:IAUT260N10S5N019.pdf
品牌:INFINEON
年份:23+
封裝:H-PSOF-8-1
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:8000 件
IAUT260N10S5N019是N溝道100 V 260A(Tc)300W(Tc)表面貼裝型,單MOSFET場效應(yīng)晶體管。
產(chǎn)品規(guī)格
FET型N溝道
技術(shù)MOSFET(金屬氧化物)
漏極-源極電壓(Vdss)100 V
電流-25°C時的連續(xù)漏極(Id)260A(Tc)
驅(qū)動電壓(最大Rds開,最小Rds開)6V,10V
Id時Rds On(Max),100A、10V時Vgs 1.9mOhm
210μA時Id為3.8V時的Vgs(th)(最大值)
柵極電荷(Qg)(最大)@Vgs 166 nC@10 V
電壓(最大值)±20V
輸入電容(Ciss)(最大)@Vds 11830 pF@50 V
功耗(最大)300W(Tc)
工作溫度-55°C~175°C(TJ)
產(chǎn)品特征
N通道-增強模式
AEC-Q101合格
MSL1最高260°C峰值回流
175°C工作溫度
綠色產(chǎn)品(符合RoHS標(biāo)準(zhǔn))
超低Rds(開)
100%雪崩測試
光學(xué)MOS?-5功率晶體管 IAUT260N10S5N019 N溝道100V 260A 300W表面安裝
型號
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描述
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IRS2186STRPBF屬于EiceDRIVER? 600 V 高壓側(cè)和低壓側(cè)柵極驅(qū)動器 IC,具有典型的 4 A 源電流和 4 A 灌電流,采用 8 引線 SOIC 封裝,適用于 IGBT 和 MOSFET。電話咨詢:86-755-83294757
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