商品名稱:STL26NM60N
品牌:ST
年份:23+
封裝:8-PowerVDFN
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:2000 件
STL26NM60N是采用第二代MDMESH?技術(shù)開發(fā)的N溝道功率MOSFET。這款革命性的功率MOSFET將垂直結(jié)構(gòu)與該公司的條形布局相結(jié)合,以產(chǎn)生世界上最低的導(dǎo)通電阻和柵極電荷。因此,它適用于要求最高的高效率轉(zhuǎn)換器。
產(chǎn)品屬性
FET 類型:N 通道
技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss):600 V
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id):2.7A(Ta),19A(Tc)
驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻(最大值):185 毫歐 @ 10A,10V
不同 Id 時(shí) Vgs(th)(最大值):5V @ 250μA
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)(最大值):60 nC @ 10 V
Vgs(最大值):±30V
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值):1800 pF @ 50 V
FET 功能:-
功率耗散(最大值):125mW(Ta),3W(Tc)
工作溫度:150°C(TJ)
安裝類型:表面貼裝型
供應(yīng)商器件封裝:PowerFlat?(8x8)HV
封裝/外殼:8-PowerVDFN
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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