VN9D5D20FTR是一款采用意法半導體 VIPower 技術制造的器件。它用于驅動直接接地的阻性或感性負載。該器件具有 VCC 引腳瞬態(tài)電壓保護功能。編程、控制和診斷通過 SPI 總線實現(xiàn)。通過集成的 10 位 ADC(0.1% FSR)為每個通道提供數(shù)字電流檢測反饋。該器件配備四個輸出端,可通過 SPI 或 2-OTP 分配的直接輸入。
產品屬性
開關類型:通用
輸出數(shù):4
比率 - 輸入:輸出:1:1
輸出配置:高端
輸出類型:N 通道
接口:SPI
電壓 - 負載:4V ~ 28V
電壓 - 供電 (Vcc/Vdd):不需要
電流 - 輸出(最大值):34.5A,72A
導通電阻(典型值):6.7 毫歐,20 毫歐
輸入類型:非反相
故障保護:限流(可調),開路負載檢測,超溫,過壓,反向電流,UVLO
工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ)
等級:汽車級
資質:AEC-Q100
安裝類型:表面貼裝,可潤濕側翼
供應商器件封裝:32-QFN(6x6)
封裝/外殼:32-PowerVFQFN
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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意法半導體(ST)集團于1987年成立,是由意大利的SGS微電子公司和法國Thomson半導體公司合并而成。1998年5月,SGS-THOMSON Microelectronics將公司名稱改為意法半導體有限公司。意法半導體是世界最大的半導體公司之一。公司2019年全年凈營收95.6億美元; 毛利率38.7%;營業(yè)…
STGIPNS4C60T-H
STGIPNS4C60T-H是一款緊湊型高性能交流電機驅動器,采用簡潔卻堅固的設計。由六個帶續(xù)流二極管的IGBT和三個用于柵極驅動控制的半橋HVIC組成,具有低電磁干擾(EMI)特征和經過優(yōu)化的開關速度。其特點和主要規(guī)格如下:特點包含用于柵極驅動控制IC和續(xù)流二極管的IPM 3 A、600…STGY40NC60VD
STGY40NC60VD是一款N溝通 50A-600V的IGBT,適用于需要高電流和高頻率操作的應用場景。STGY40NC60VD適用于需要高電流和高頻率操作的應用場景,如工業(yè)控制、電機驅動、電力轉換等。STGY40NC60VD的主要規(guī)格如下:IGBT 類型:-電壓 - 集射極擊穿(最大值):600 V電流 - 集電…STGB10NC60HDT4
STGB10NC60HDT4采用先進的PowerMESH技術,確保在開關性能和低導通狀態(tài)行為之間取得良好的平衡。該技術使得STGB10NC60HDT4在導通時的電壓降(VCE(sat))較低,且沒有交叉?zhèn)鲗У南右?,恢復特性非常軟且快?。其技術規(guī)格和應用領域如下:技術規(guī)格IGBT 類型:-電壓 - 集射極…STGHU30M65DF2AG
STGHU30M65DF2AG是一款650 V、30 A車規(guī)級溝槽柵場截止低損耗M系列IGBT,其采用先進的專有溝槽柵場截止結構開發(fā)。該器件是M系列IGBT的一部分,代表了逆變器系統(tǒng)性能與效率之間的理想平衡,其中低損耗和短路功能至關重要。此外,它的VCE(sat)正溫度系數(shù)特性和緊密的參數(shù)分布…STGWA60V60DF
STGWA60V60DF是一種使用先進專有溝槽柵場截止結構的IGBT器件,屬于V系列IGBT的一部分?。該器件旨在實現(xiàn)傳導損耗和開關損耗之間的最佳折衷,以提高非常高頻轉換器的效率。其最大結溫為175C,具有無尾關斷特性,飽和壓降VCE(sat)在60A時為1.85V(典型值),并且參數(shù)分布緊…STGWA60H65DFB
STGWA60H65DFB是一種650 V、60 A的高速溝槽柵場截止IGBT器件,其采用先進的專有溝柵場運算結構開發(fā),旨在實現(xiàn)傳導和開關損耗之間的最佳折衷,以提高任何變頻器的效率。其技術規(guī)格和典型應用如下:技術規(guī)格IGBT 類型:溝槽型場截止電壓 - 集射極擊穿(最大值):650 V電流…電話咨詢:86-755-83294757
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