商品名稱:IGLD60R190D1AUMA1
品牌:INFINEON
年份:24+
封裝:PG-LSON-8
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:1000 件
IGLD60R190D1AUMA1是600V CoolGaN? 增強(qiáng)型功率晶體管。
產(chǎn)品屬性
產(chǎn)品種類: MOSFET
技術(shù): GaN
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: LSON-8
晶體管極性: N-Channel
通道數(shù)量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 600 V
Id-連續(xù)漏極電流: 10 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 190 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 10 V, + 10 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 900 mV
Qg-柵極電荷: 3.2 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 62.5 W
通道模式: Enhancement
下降時(shí)間: 14 ns
濕度敏感性: Yes
產(chǎn)品類型: MOSFET
上升時(shí)間: 6 ns
晶體管類型: Power
典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 8 ns
典型接通延遲時(shí)間: 6 ns
特性
? 增強(qiáng)型晶體管 - 常閉開關(guān)
? 超快速開關(guān)
? 無反向恢復(fù)電荷
? 能夠反向?qū)?/span>
? 低柵極電荷、低輸出電荷
? 出色的換向堅(jiān)固性
? 符合 JEDEC 工業(yè)應(yīng)用標(biāo)準(zhǔn)(JESD47 和 JESD22)。標(biāo)準(zhǔn)(JESD47 和 JESD22)認(rèn)證的工業(yè)應(yīng)用。
優(yōu)勢
? 提高系統(tǒng)效率
? 提高功率密度
? 實(shí)現(xiàn)更高的工作頻率
? 降低系統(tǒng)成本
? 降低電磁干擾
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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