商品名稱:GCMX080B120S1-E1
品牌:SemiQ
年份:24+
封裝:SOT-227-4
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:1000 件
SemiQ SiC MOSFET 模塊在高溫下具有低導(dǎo)通電阻和出色的開關(guān)性能,從而簡化了電力電子系統(tǒng)的散熱設(shè)計。SiC MOSFET 模塊工作時開關(guān)損耗為零,可顯著提高效率并減少散熱,從而實現(xiàn)更小的散熱器。
GCMX080B120S1-E1產(chǎn)品屬性:
FET 類型: N 通道
技術(shù): SiCFET(碳化硅)
漏源電壓(Vdss): 1200 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id): 30A(Tc)
驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On): 20V
不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻(最大值): 100 毫歐 @ 20A,20V
不同 Id 時 Vgs(th)(最大值): 4V @ 10mA
不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)(最大值): 58 nC @ 20 V
Vgs(最大值): +25V,-10V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值): 1336 pF @ 1000 V
功率耗散(最大值): 142W(Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C(TJ)
安裝類型: 底座安裝
供應(yīng)商器件封裝: SOT-227
封裝/外殼: SOT-227-4,miniBLOC
應(yīng)用
光伏逆變器
電池充電器
服務(wù)器電源
儲能系統(tǒng)
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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SemiQ 設(shè)計、開發(fā)和制造碳化硅 (SiC) 功率半導(dǎo)體以及 150mm SiC 外延晶片。SiC 二極管和 MOSFET 提供分立和模塊以及裸芯片和晶片形式。SemiQ 還提供電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用方面的專業(yè)知識,其中包括子系統(tǒng)設(shè)計和半定制模塊。SemiQ 服務(wù)于以下終端市場:電動汽車充電器和充電站、功率…
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