商品名稱:碳化硅 MOSFET 模塊
品牌:INFINEON
年份:24+
封裝:模塊
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:2000 件
FF8MR12W1M1HB70 是 EasyDUAL? 2B CoolSiC? MOSFET 半橋模塊,電壓為 1200 V,G1 為 8 mΩ,集成了 NTC 溫度傳感器、PressFIT 觸點(diǎn)技術(shù)和氮化鋁陶瓷。
FF8MR12W1M1HB70 的特點(diǎn)
同類最佳,高度為 12.25 毫米
領(lǐng)先的 WBG 材料
極低的模塊雜散電感
增強(qiáng)型 CoolSiC? 第一代 MOSFET
采用增強(qiáng)型 1 溝道技術(shù)
更大的柵極驅(qū)動(dòng)電壓窗口
電壓窗口為 15 至 18 V 和 0 至 -5 V
擴(kuò)展的最大柵極-源極電壓
柵極-源極電壓為 +23 V 和 -10 V
Tvjop:過(guò)載條件高達(dá) 175°C
集成 NTC 溫度傳感器
FF8MR12W1M1HB70 的優(yōu)勢(shì)
出色的模塊效率
系統(tǒng)成本優(yōu)勢(shì)
提高系統(tǒng)效率
降低冷卻要求
實(shí)現(xiàn)更高頻率
提高功率密度
DCB 材料的導(dǎo)熱性
FF8MR12W1M1HB70 的應(yīng)用
儲(chǔ)能系統(tǒng)
電動(dòng)汽車充電
燃料電池 DC-DC 升壓轉(zhuǎn)換器
光伏
不間斷電源 (UPS)
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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IRS2186STRPBF屬于EiceDRIVER? 600 V 高壓側(cè)和低壓側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器 IC,具有典型的 4 A 源電流和 4 A 灌電流,采用 8 引線 SOIC 封裝,適用于 IGBT 和 MOSFET。電話咨詢:86-755-83294757
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