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商品型號:IPTC039N15NM5ATMA1

商品名稱:IPTC039N15NM5ATMA1

數據手冊:IPTC039N15NM5ATMA1.pdf

品牌:INFINEON

年份:23+

封裝:PG-HDSOP-16

貨期:全新原裝

庫存數量:3000

數量:
在線詢價

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聯(lián)系郵箱:

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公司名稱:

技術參數

制造商
INFINEON
型號
IPTC039N15NM5ATMA1
封裝
PG-HDSOP-16
描述
表面貼裝型 N 通道 150V 21A(Ta),190A(Tc) 3.8W(Ta),319W(Tc)PG-HDSOP-16-2

產品描述

IPTC039N15NM5ATMA1器件是一款設計符合提升系統(tǒng)效率需求的 150V OptiMOS? 5功率MOSFET。該產品采用新型硅技術,經優(yōu)化可達到并超過能源效率和功率密度要求。相較于其他備選器件,該MOSFET的RDS(on)和品質因數 (RDS(on) x Qg) 更低。典型應用包括計算領域中的服務器、數據通信和客戶端應用,還可用于開關模式電源 (SMPS) 中的同步整流以及電機控制、微型太陽能逆變器和快速開關直流/直流轉換器應用。


產品規(guī)格:

FET 類型:N 通道

技術:MOSFET(金屬氧化物)

漏源電壓(Vdss):150 V

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id):21A(Ta),190A(Tc)

驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):8V,10V

不同 Id、Vgs 時導通電阻(最大值):3.9 毫歐 @ 50A,10V

不同 Id 時 Vgs(th)(最大值):4.6V @ 243μA

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)(最大值):93 nC @ 10 V

Vgs(最大值):±20V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值):7300 pF @ 75 V

FET 功能:-

功率耗散(最大值):3.8W(Ta),319W(Tc)

工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ)

安裝類型:表面貼裝型

供應商器件封裝:PG-HDSOP-16-2

封裝/外殼:16-PowerSOP 模塊


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型號

品牌

封裝

數量

描述

STB120NF10T4

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TO-263

32000

N溝道100 V、9 mOhm典型值、110 A STripFET II功率MOSFET,D2PAK封裝

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IPD70R600P7S

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STL26N60DM6

ST

PowerFLAT 8x8

3000

N溝道600 V、175 mOhm典型值、15 A MDmesh DM6功率MOSFET,PowerFLAT 8x8 HV封裝

IQE008N03LM5SC

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PG-WHSON-8

2000

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ISC055N15NM6

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2000

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ISC044N15NM6

INFINEON

PG-TSON-8

2000

OptiMOS? 6 N 溝道功率 MOSFET 晶體管

常見問題

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    答:所有上架的在線商品均可在線即可下單,但也考慮到現貨庫存流動性比較大,目前還無法做到100%的精準。如有異常,您可以在線聯(lián)系我公司并給出對應的 解決方案。

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    答:目前我們自營代理的品牌包含TI,ST,ADI,NXP,LATTICE,CYPRESS,INFINEON,XILINX等一線品牌,其他渠道均為原廠及代理渠道。如有需要,我們可以針對具體品牌型號來溝通確認。

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INFINEON

INFINEON

英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國慕尼黑正式成立,是全球領先的半導體公司之一。其前身是西門子集團的半導體部門,于1999年獨立,2000年上市。其中文名稱為億恒科技,2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國Neubiberg的英飛凌科技股份公司,為現代社會的三大科技挑…

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