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IXSH80N120L2KHV是一款1200 V 碳化硅功率 MOSFET 晶體管，其導(dǎo)通電阻（RDS(on)）為30mΩ，這意味著在導(dǎo)通狀態(tài)下，器件的電阻較小，有助于減少能量損耗。該IXSH80N120L2KHV器件適用于需要高效率、快速開(kāi)關(guān)和低損耗的應(yīng)用，如車載充電器、電動(dòng)汽車/混合動(dòng)力汽車的DC/DC變換器等?。

技術(shù)參數(shù)

產(chǎn)品：IXSH80N120L2KHV

封裝 / 箱體：TO-247-4L

晶體管極性：N-Channel

通道數(shù)量：1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓：1.2 kV

Id-連續(xù)漏極電流：79 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻：39 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓：- 5 V, + 20 V

Qg-柵極電荷：135 nC

最小工作溫度：- 55 C

最大工作溫度：+ 175 C

Pd-功率耗散：395 W

通道模式：Enhancement

商標(biāo)：IXYS

配置：Single

下降時(shí)間：14 ns

產(chǎn)品類型：SiC MOSFETS

上升時(shí)間：24.4 ns

工廠包裝數(shù)量：450

晶體管類型：1 N-Channel

類型：SiC MOSFET

典型關(guān)閉延遲時(shí)間：28.8 ns

典型接通延遲時(shí)間：12.8 ns

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