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【IPB035N12NM6】120V，OptiMOS ? 6 功率 MOSFET，正常電平，采用 D2PAK 3 引腳封裝。

說(shuō)明：

IPB035N12NM6 是 D2PAK 3 針?lè)庋b的正常級(jí)別 120 V MOSFET，導(dǎo)通電阻為 3.5 mOhm。IPB035N12NM6 是英飛凌 OptiMOS ? 6 功率 MOSFET 系列的一部分。

IPB035N12NM6 規(guī)格參數(shù)：

產(chǎn)品種類(lèi): MOSFET

技術(shù): Si

安裝風(fēng)格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: TO-263-3

晶體管極性: N-通道

通道數(shù)量: 1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 120 V

Id-連續(xù)漏極電流: 138 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 3.5 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V

Vgs th-柵源極閾值電壓: 3.6 V

Qg-柵極電荷: 58 nC

最小工作溫度: - 55℃

最大工作溫度: + 175℃

Pd-功率耗散: 246 W

通道模式: Enhancement

配置: Single

下降時(shí)間: 12.8 ns

正向跨導(dǎo) - 最小值: 65 S

產(chǎn)品類(lèi)型: MOSFETs

上升時(shí)間: 14.1 ns

晶體管類(lèi)型: 1 N-Channel

典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 24.1 ns

典型接通延遲時(shí)間: 15.5 ns

• 1.平臺(tái)上看到的庫(kù)存、價(jià)格準(zhǔn)確嗎？

  答：所有上架的在線商品均可在線即可下單，但也考慮到現(xiàn)貨庫(kù)存流動(dòng)性比較大，目前還無(wú)法做到100%的精準(zhǔn)。如有異常，您可以在線聯(lián)系我公司并給出對(duì)應(yīng)的 解決方案。

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  答：我們的自營(yíng)商品均采自合作的國(guó)內(nèi)外原廠或授權(quán)代理商，來(lái)源均可追溯，確保原裝正品。

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  答：大部分商品信息中都有標(biāo)注貨期，您可根據(jù)貨期估計(jì)商品的發(fā)貨時(shí)間，具體到貨時(shí)間根據(jù)商品具體所在的倉(cāng)庫(kù)、您所選擇的物流方式而定。

• 6.公司能開(kāi)發(fā)票嗎？

  答：可以為個(gè)人用戶開(kāi)具普通發(fā)票，也可以為企業(yè)用戶開(kāi)具增值稅專(zhuān)用發(fā)票。