深圳市明佳達電子有限公司供應IGBT晶體管 SCTW100N65G2AG 汽車級碳化硅功率MOSFET，650 V、100 A、20 mOhm（典型值，TJ = 25C），HiP247封裝SCTW100N65G2AG產品概述描述該碳化硅功率MOSFET晶體管采用ST先進、創(chuàng)新的第二代碳化硅（SiC）MOSFET技術開發(fā)而成。器件具有每區(qū)域…
深圳市明佳達電子有限公司供應IGBT晶體管 SCTW100N65G2AG 汽車級碳化硅功率MOSFET，650 V、100 A、20 mOhm（典型值，TJ = 25°C），HiP247封裝
SCTW100N65G2AG產品概述
描述
該碳化硅功率MOSFET晶體管采用ST先進、創(chuàng)新的第二代碳化硅（SiC）MOSFET技術開發(fā)而成。器件具有每區(qū)域超低的導通狀態(tài)電阻和卓越的開關性能。RDS(on) 和開關損耗的變化受工作結溫的影響都非常小。
所有功能
專為汽車應用而設計
導通電阻隨溫度變化敏感溫度
穩(wěn)定的超快速本體二極管
適應非常高的工作溫度 (TJ = 200 °C)
低電容
產品屬性
產品種類: MOSFET
技術: SiC
安裝風格: Through Hole
封裝 / 箱體: HiP-247-3
晶體管極性: N-Channel
通道數量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 650 V
Id-連續(xù)漏極電流: 100 A
Rds On-漏源導通電阻: 69 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 10 V, + 22 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 5 V
Qg-柵極電荷: 162 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 200 C
Pd-功率耗散: 420 W
通道模式: Enhancement
資格: AEC-Q101
系列: SCTW100N65G2AG
產品類型: MOSFET
工廠包裝數量: 600
子類別: MOSFETs
單位重量: 4.500 g
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