深圳市明佳達電子有限公司意法半導體 STL33N60DM2 N 溝道 FDmesh II Plus? 功率 MOSFET,全新原裝,質量保證!產品型號:STL33N60DM2系列: MDmesh? DM2 產品狀態(tài): 在售 FET 類型: N 通道 技術: MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss): 600 V 25C 時電流 - 連…
深圳市明佳達電子有限公司意法半導體 STL33N60DM2 N 溝道 FDmesh II Plus? 功率 MOSFET,全新原裝,質量保證!
產品型號:STL33N60DM2
系列: MDmesh? DM2
產品狀態(tài): 在售
FET 類型: N 通道
技術: MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss): 600 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id) :21A(Tc)
驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id、Vgs 時導通電阻(最大值): 140 毫歐 @ 10.5A,10V
不同 Id 時 Vgs(th)(最大值): 5V @ 250μA
不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)(最大值): 43 nC @ 10 V
Vgs(最大值): ±25V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值): 1870 pF @ 100 V
功率耗散(最大值): 150W(Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型: 表面貼裝型
供應商器件封裝: PowerFlat?(8x8)HV
封裝/外殼: 8-PowerVDFN
介紹
意法半導體 MDmesh DM2 系列是意法半導體最新的快速恢復 二極管系列 600V 功率 MOSFET,特別適合 ZVS 相移橋拓撲。它們具有非常小的恢復電荷和時間(Qrr, trr), 并有低 20% 的 RDS(on) (相比前一代產品)。高 dV/dt 強度(40V/ns),確保更高系統(tǒng)可靠性。
特性
柵極電荷和輸入電容低
與上一代產品相比,RDS(on) x 面積更低
柵極輸入電阻低
專為開關應用而設計
100% 經過雪崩測試
齊納保護
高 dv/dt 和雪崩能力
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