明佳達推出納薇氮化鎵充電器功率芯片NV6128、NV6127、NV6123，其采用QFN6*8mm封裝，在使用電流檢測電阻時仍能得到增強的散熱。歡迎聯(lián)系我們qq：1668527835，電話：13410018555，郵箱：chen13410018555@163.com，公司首頁：stylb.cn
明佳達推出納薇氮化鎵充電器功率芯片NV6128、NV6127、NV6123，其采用QFN6*8mm封裝，在使用電流檢測電阻時仍能得到增強的散熱。
產(chǎn)品型號：NV6128、NV6127、NV6123
年份：最新21+
封裝：QFN
NV6128內(nèi)部整合集成柵極驅(qū)動器，支持10-30V供電，且導(dǎo)通壓擺率可編程。具有開爾文源極，有效降低寄生參數(shù)對高頻開關(guān)的影響。NV6128導(dǎo)阻為70mΩ，在納微的氮化鎵功率芯片中最低。芯片額定工作電壓為650V，峰值耐壓800V，在系統(tǒng)中的可靠性更高，支持2MHz高開關(guān)頻率。
NV6127采用QFN6*8mm封裝，散熱性能升級，125mΩ導(dǎo)阻，內(nèi)置驅(qū)動器支持10-30V供電。最高支持2MHz開關(guān)頻率。
NV6123這顆芯片是NV6113的散熱增強版，為高頻率和軟開關(guān)拓撲優(yōu)化，內(nèi)部集成驅(qū)動器，導(dǎo)阻300mΩ，6*8mm QFN封裝。
特征
GaNFast? 電源 IC
? 大冷卻墊
? 使用 CS 電阻時增強散熱
? 單片集成柵極驅(qū)動器
? 寬 VCC 范圍（10 至 30 V）
? 可編程開啟 dV/dt
? 200 V/ns dV/dt 抗擾度
? 800 V 瞬態(tài)電壓額定值
? 650 V 連續(xù)額定電壓
? 低 125 mΩ 電阻
? 零反向恢復(fù)電荷
? ESD 保護 – 1 kV (HBM)、1 kV (CDM)
? 2 MHz 操作
小型、薄型 SMT QFN
? 6 x 8 mm 占用空間，0.85 mm 輪廓
? 最小化封裝電感
可持續(xù)性
? RoHS、無鉛、符合 REACH 標準
? 與硅解決方案相比，節(jié)能高達 40%
? 系統(tǒng)級 4kg CO2 碳足跡減少
拓撲/應(yīng)用
? AC-DC、DC-DC、DC-AC
? QR 反激、PFC、AHB、降壓、升壓、半橋、全橋、LLC 諧振、D 類
? 無線電源、太陽能微型逆變器、LED 照明、TV SMPS、服務(wù)器、電信
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